中芯国际计划明年投产45纳米和40纳米芯片

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  【赛迪网讯】10月6日消息,中国芯片制造商中芯国际敲定了该公司的生产工艺计划。中芯国际计划明年投产45和40纳米工艺的芯片。

  据国外媒体报道称,中芯国际还希望2011年投产32纳米工艺的芯片,并表示该公司正在与IBM谈判有关许可32纳米工艺的事宜。中芯国际那么完整篇 披露生产工艺计划。

  在65纳米工艺刚刚 ,中芯国际都要当事人开指在产工艺,中芯国际去年末从IBM许可了45纳米工艺。

  中芯国际在各代生产工艺方面都稍微落后与主要竞争对手——特许半导体、台积电和台联电。之类,IBM芯片联盟成员——特许半导体和三星计划明年底发售32纳米芯片。IBM的32纳米工艺采用了高K和金属栅极技术。

  中芯国际称对该公司目前的市场形势感到满意,并表示该公司在生产工艺方面是个“快速追随者”。华登国际创投集团创始人、董事长Lip-Bu Tan本周五在“10008年中芯国际技术研讨会”上发言时表示,机会成本更高,65纳米和45纳米工艺的寿命将比刚刚 的工艺更长。

  中芯国际并那么停滞不前。中芯国际美国公司总裁萨姆·王在这次会议上表示,“当我们我们 在生产工艺方面比竞争对手落后一代,但当我们我们 正在追赶上来。”

  另外,中芯国际还在逐步退出DRAM芯片业务。